信息技術(shù)發(fā)展的程度和水平已經(jīng)成為衡量一個(gè)國(guó)家高技術(shù)發(fā)展水平的主要標(biāo)志之一，以集成電路為代表的微電子技術(shù)是信息技術(shù)和產(chǎn)業(yè)的核心和基礎(chǔ)。但當(dāng)器件到了32nm以下技術(shù)代時(shí)，硅材料的漏電問(wèn)題將變得十分突出，解決這一問(wèn)題的辦法就是使用高K柵介質(zhì)和金屬柵極，以替代原來(lái)的硅材料。我國(guó)實(shí)際已經(jīng)成為全球最大的地區(qū)性集成電路市場(chǎng)，但缺少具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的關(guān)鍵材料和核心技術(shù)。
針對(duì)32-22nm以下技術(shù)節(jié)點(diǎn)記大規(guī)模集成電路CMOS技術(shù)需要，解決硅材料的漏電流問(wèn)題，開(kāi)發(fā)具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的高K前軀體及其合成工藝，制備出幾種性能優(yōu)良的用于32-22nm CMOS器件柵介質(zhì)、RF電路無(wú)源MIM器件以及先進(jìn)存儲(chǔ)器的高K材料，并實(shí)現(xiàn)其產(chǎn)業(yè)化，奠定以集成電路為代表的微電子技術(shù)的迅猛發(fā)展。
突破國(guó)外技術(shù)封鎖，產(chǎn)品上線(xiàn)測(cè)試成功！
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