南京大學(xué)實驗室已得到的介電常數(shù)低于2.0的高性能材料，在該領(lǐng)域處于國內(nèi)領(lǐng)先水平，已申請發(fā)明專利2項（專利申請?zhí)枺?/span>00410044831.5，200510037695.1），產(chǎn)業(yè)化前景廣闊。
隨著集成電路特征尺寸的逐漸減小，超低介電常數(shù)絕緣介質(zhì)材料可應(yīng)用于大規(guī)模集成電路、在CPU生成中替代傳統(tǒng)Si02以及其他現(xiàn)有低介電薄膜，可十分有效地減少發(fā)熱和延遲。 我校獲得的該超低介電常數(shù)的納米孔氧化硅薄膜材料優(yōu)點顯著：
1、介電常數(shù)低與2.0；
2、薄膜中的納米微孔分布均勻；
3、薄膜中的微孔大小尺寸可調(diào)；
4、薄膜的剛性、柔性可調(diào)控；
5、薄膜電學(xué)性質(zhì)穩(wěn)定；
6、與硅片的粘附性好。
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